片上微型热电子源
授权
摘要
本实用新型公开了一种片上微型热电子源,在衬底上形成至少一个电子发射体单元,并在衬底上形成控制电极,电子发射体单元相对两端分别连接一控制电极,用于为电子发射体单元提供电压,以使得电子发射体单元因为焦耳效应发热出射电子,衬底与电子发射体单元相对的区域具有沟槽,以降低电子发射体单元通过衬底的热量耗散,提高加热效率。可见,本实用新型技术方案提供了一种新型的片上微型热电子源,兼具传统热发射电子源的发射电流大、真空度要求低、发射性能稳定等诸多优点,且可以直接在衬底上形成大规模的阵列电子发射体单元以及对应的控制电极,具有较高的阵列集成度。
基本信息
专利标题 :
片上微型热电子源
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921750895.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-17
授权号 :
CN210200664U
授权日 :
2020-03-27
发明人 :
魏贤龙王雨薇
申请人 :
北京大学
申请人地址 :
北京市海淀区颐和园路5号
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
张静
优先权 :
CN201921750895.5
主分类号 :
H01J37/075
IPC分类号 :
H01J37/075
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,例如为了对其检验或加工的
H01J37/02
零部件
H01J37/04
电极装置及与产生或控制放电的部件有关的装置,如电子光学装置,离子光学装置
H01J37/06
电子源;电子枪
H01J37/075
热发射电子枪,其阴极是用粒子轰击或辐照来加热的,如由激光加热
法律状态
2020-03-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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