高压的稳压电路
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摘要

本实用新型属于模拟集成电路技术领域,具体为一种高压的稳压电路,其能够使charge pump电路输出电压稳定在一定范围内,不会对器件造成损伤,电阻R0一端连接第三PMOS管PM3的源端、第二PMOS管PM2的源端、第四PMOS管PM4的源端,第三PMOS管PM3的栅端和漏端相连后连接第五NMOS管NM5的漏端和第四PMOS管PM4的栅端,电阻R0另一端连接第四PMOS管PM4的漏端、电阻R1一端、第二PMOS管PM2的栅端,电阻R1另一端接地,第二PMOS管PM2的漏端连接稳压二极管Z0的阴极和反向器I0的电源端,稳压二极管Z0的阳极连接第四NMOS管NM4的栅端和漏端、第五NMOS管NM5的栅端,第四NMOS管NM4的源端、第五NMOS管NM5的源端、反相器I0的接地端均接地,反相器I0的输入端输入时钟信号,反相器I0的输出端输出电压信号的高电平为VCC。

基本信息
专利标题 :
高压的稳压电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921766772.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-21
授权号 :
CN210835774U
授权日 :
2020-06-23
发明人 :
张南阳马辉蒋赛尖
申请人 :
无锡思泰迪半导体有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市新吴区长江路16号
代理机构 :
无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
张宁
优先权 :
CN201921766772.0
主分类号 :
G05F1/575
IPC分类号 :
G05F1/575  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制;调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F1/00
从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值的偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值的自动调节系统,即有回授作用的系统
G05F1/10
调节电压或电流
G05F1/46
其中由末级控制器实际调节的变量是直流的
G05F1/56
利用与负载串联的半导体器件作为末级控制器的
G05F1/575
按反馈电路为区分特征的
法律状态
2020-06-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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