具有高透光电极结构的TOF传感器以及成像装置
授权
摘要
本申请提供具有高透光电极结构的TOF传感器以及成像装置，其包括：半导体衬底；形成于该半导体衬底内的光电二极管的阵列；叠加电极结构，其设置于该光电二极管阵列的光线入射一侧，包括多层电极和多层绝缘膜和对准光电二极管的可透过红外光的透明区域；以及微透镜阵列，设置于该入射光通孔的光线入射一侧；叠加电极的至少一层电极在通孔边缘往衬底方向延伸和弯折，引导光线进入光电二极管。本申请的结构可以有效防止光线进入多层电极之间造成的横向串扰和光能损失。
基本信息
专利标题 ：
具有高透光电极结构的TOF传感器以及成像装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921775237.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-18
授权号 ：
CN211529954U
授权日 ：
2020-09-18
发明人 ：
黄忠守马隆鑫徐渊姚浩东陈志芳
申请人 ：
深圳市光微科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区桃源街道同富裕工业城10栋1楼102房
代理机构 ：
深圳市赢源知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
苏迎
优先权 ：
CN201921775237.1
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2020-09-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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