一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路
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摘要
本发明提供一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路，包括：逻辑单元、驱动单元、短路保护单元、VDS检测单元以及VG检测单元，本发明采用降低栅极电压VG的方法抑制短路电流，从而降低短路故障对器件的冲击，减小了短路损耗，增大了短路耐受时间。当SiC MOSFET发生一类短路时，漏极电压VDS将不会下降至导通压降，本发明通过判断漏极电压VDS是否下降至导通压降来选择开通瞬态的栅极驱动电压，使栅极电压VG钳位在较低的驱动电压等级；当SiC MOSFET发生二类短路时，栅极电压VG将会发生突变，形成电压尖峰，本发明通过判断导通状态时栅极电压VG是否出现电压尖峰来选择导通状态的栅极驱动电压，可在短路时将栅极电压VG钳位在较低的驱动电压等级。
基本信息
专利标题 ：
一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921850461.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-30
授权号 ：
CN211930609U
授权日 ：
2020-11-13
发明人 ：
谭国俊张经纬耿程飞何凤有
申请人 ：
徐州中矿大传动与自动化有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市高新区第二工业园珠江路7号
代理机构 ：
南京众联专利代理有限公司
代理人 ：
杜静静
优先权 ：
CN201921850461.2
主分类号 ：
H03K17/0812
IPC分类号 ：
H03K17/0812 H03K17/687
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法律状态
2020-11-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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