H桥短路保护电路
授权
摘要
本实用新型涉及模拟集成电路领域，具体为一种H桥短路保护电路，其能够让H桥没有短路电流流过，保护PMOS管，其包括比较器COMP1和比较器COMP，比较器COMP1的输入端连接电阻R0一端、PMOS管PM2的漏端，PM2的源端连接VDD和PMOS管PM0的源端，PMOS管PM2的栅端和PMOS管PM0的栅端相连，PMOS管PM0的漏端连接NMOS管NM0的漏端、NMOS管NM2的漏端、电阻R0另一端，NMOS管NM2的栅端和NMOS管NM0的栅端相连，NMOS管NM0的源端连接电阻R1一端并接地，电阻R1另一端连接NMOS管NM2的源端和比较器COMP的输入端，比较器COMP1的输出端与比较器COMP的输出端连接或门的输出端，或门的输出端为OUT端口，其特征在于，比较器COMP1包括PMOS管PM10、PMOS管PM1、PMOS管PM9、PMOS管PM3。
基本信息
专利标题 ：
H桥短路保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922480475.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN211320918U
授权日 ：
2020-08-21
发明人 ：
张南阳蒋赛尖马辉
申请人 ：
无锡思泰迪半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区长江路16号
代理机构 ：
无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
张宁
优先权 ：
CN201922480475.6
主分类号 ：
H02H7/20
IPC分类号 ：
H02H7/20 H02H3/28 H03K5/24
法律状态
2020-08-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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