一种石墨烯薄膜卷对卷生产装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种石墨烯薄膜卷对卷生产装置，包括真空腔、真空泵组件以及工艺气体通入组件，还包括至少一监测组件以及参数控制组件，真空腔包括依次连通的放卷腔、生长腔和收卷腔，其中一个监测组件连接于生长腔，用以获得位于生长腔内的石墨烯薄膜的第一表征参数，并将第一表征参数与一第一设定表征参数比较获得一第一比较结果；参数控制组件连接于至少一监测组件，用以响应第一比较结果，并调控各项工艺气体通入量及比例和/或所述生长腔温度和/或生长基底运动速度和/或所述生长腔内压强，以使第一表征参数等于第一设定表征参数。
基本信息
专利标题 ：
一种石墨烯薄膜卷对卷生产装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921870689.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-01
授权号 ：
CN211394617U
授权日 ：
2020-09-01
发明人 ：
彭海琳杨倩董广成查冰杰刘忠范
申请人 ：
北京大学;北京石墨烯研究院
申请人地址 ：
北京市海淀区颐和园路5号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
阚梓瑄
优先权 ：
CN201921870689.8
主分类号 ：
C23C16/26
IPC分类号 ：
C23C16/26 C23C16/54 C01B32/186
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
法律状态
2020-09-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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