一种半导体硅晶片酸腐蚀用的气体移动喷射装置

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

一种半导体硅晶片酸腐蚀用的气体移动喷射装置，涉及半导体制造技术领域，包括位于腐蚀槽内表面均匀分布有鼓泡孔的鼓泡管，鼓泡管的两端分别通入外部气体，所述气体移动喷射装置还包括驱动机构，驱动机构驱动鼓泡管在腐蚀槽内前后移动使气体随鼓泡管移动均匀分布在酸液中。本实用新型有益效果：本实用新型为半导体硅抛光制程中酸腐蚀工艺提供稳定、安全可靠的气体移动喷射装置，利用该装置可以简单、有效的保证混合酸均匀的腐蚀在每一片硅片，从而有效的保证稳定的腐蚀速率及好的腐蚀质量。

基本信息

专利标题：

一种半导体硅晶片酸腐蚀用的气体移动喷射装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921882926.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-04

授权号：

CN210897204U

授权日：

2020-06-30

发明人：

王海君杨波王军

申请人：

麦斯克电子材料有限公司

申请人地址：

河南省洛阳市高新技术产业开发区滨河北路99号

代理机构：

洛阳公信知识产权事务所(普通合伙)

代理人：

陈佳丽

优先权：

CN201921882926.2

主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/67 H01L21/306

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/67

专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置

法律状态

2020-11-10 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : H01L 21/67
变更事项 : 专利权人
变更前 : 麦斯克电子材料有限公司
变更后 : 麦斯克电子材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 471000 河南省洛阳市高新技术产业开发区滨河北路99号
变更后 : 471000 河南省洛阳市高新技术产业开发区滨河北路99号

2020-06-30 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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