一种激光错误注入设备
授权
摘要
本实用新型实施例公开了一种激光错误注入设备，用于对芯片进行激光错误注入，包括：激光源，用于发射激光；变焦耦合镜，用于调节激光在被测芯片上所形成光斑的尺寸；显微镜，其光路被设置为指向被测芯片，包括光路耦合镜、聚焦镜、成像镜、相机或目镜；设备被配置为：激光源发射的激光经变焦耦合镜后射入显微镜光路，在被测芯片上形成光斑，调节变焦耦合镜，以调节激光在被测芯片上所形成光斑的尺寸。通过实施本实用新型实施例，可较快的确定被测芯片上适合进行激光错误注入的准确位置，扫描效率高。
基本信息
专利标题 ：
一种激光错误注入设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921908748.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-06
授权号 ：
CN211741504U
授权日 ：
2020-10-23
发明人 ：
高国栋
申请人 ：
深圳市纽创信安科技开发有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区粤海街道高新南十道深圳湾科技生态园12栋裙楼8层29-31号
代理机构 ：
深圳鼎合诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
胡佳炜
优先权 ：
CN201921908748.6
主分类号 ：
G01R31/311
IPC分类号 ：
G01R31/311 G01R31/265
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/00
电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置；在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L21/66；线路传输系统的测试入H04B3/46）
G01R31/08
探测电缆、传输线或网络中的故障
G01R31/14
所用的电路
G01R31/308
使用非电离电磁辐射，如光辐射
G01R31/311
集成电路的
法律状态
2020-10-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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