新型ISGW过孔簇馈电天线

授权

摘要

本实用新型公开了新型ISGW过孔簇馈电天线，其包括辐射结构和集成基片间隙波导结构，集成基片间隙波导结构包括用于屏蔽电磁辐射能量的电磁带隙结构、用于传输能量的馈电结构、上层介质板、下层介质板以及设置在上层介质板和下层介质板之间的间隔介质板，辐射结构形成在上层介质板的上表面，馈电结构形成在上层介质板的下表面并具有由至少一个贯穿上层介质板的第一金属过孔组成的金属过孔簇，电磁带隙结构形成在下层介质板上。本实用新型能够实现宽带宽和高增益的线极化天线和圆极化天线，适用于在射频、微波、毫米波和太赫兹波的应用，可用于射频、微波、毫米波和太赫兹波天线，特别是5G毫米波天线，例如5G毫米波天线。

基本信息

专利标题：

新型ISGW过孔簇馈电天线

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921952335.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-13

授权号：

CN210668693U

授权日：

2020-06-02

发明人：

申东娅皇甫兵帅卢丽珠袁洪

申请人：

云南大学

申请人地址：

云南省昆明市五华区翠湖北路2号

代理机构：

成都九鼎天元知识产权代理有限公司

代理人：

胡川

优先权：

CN201921952335.8

主分类号：

H01Q1/50

IPC分类号：

H01Q1/50 H01Q1/52 H01Q1/38