一种降低晶片吸附翘曲度的辅助装置及投影光刻机
授权
摘要
本实用新型提出了一种能够降低晶片吸附翘曲度的辅助装置及投影光刻机，本实用新型的辅助装置包括压紧基体及升降机构，所述压紧基体通过联结部与升降机构相连，所述压紧基体能够在升降机构的控制下沿竖直方向上下运动。本实用新型的能够降低晶片吸附翘曲度的辅助装置及投影光刻机，能够通过压环将翘曲片压在载片台上，可以使晶片和载片台之间形成密闭腔，完成真空吸附，同时可以保证其吸附后的平坦度达到正常晶片的水准。
基本信息
专利标题 ：
一种降低晶片吸附翘曲度的辅助装置及投影光刻机
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921955406.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-13
授权号 ：
CN211350608U
授权日 ：
2020-08-25
发明人 ：
魏伟赵艳黎李诚瞻郑昌伟曾亮
申请人 ：
株洲中车时代电气股份有限公司
申请人地址 ：
湖南省株洲市石峰区时代路169号
代理机构 ：
北京聿宏知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴大建
优先权 ：
CN201921955406.X
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L21/67 G03F7/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2020-08-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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