一种MEMS器件抗冲击止挡结构
授权
摘要

本实用新型公开了一种MEMS器件抗冲击止挡结构,包括通过梁结构连接到锚点结构上的质量块;锚点结构将质量块和梁结构悬浮于检测电极上;在检测电极周边设置高度高于检测电极并且朝向质量块的止挡凸点结构;质量块上朝向止挡凸点结构的位置设置弹性接触结构。当外界输入垂直方向强冲击或振动时,质量块在惯性力作用下沿垂直方向运动,当冲击或振动使得质量块运动到设计限位值时,质量块上加工出的弹性接触结构与衬底层或盖帽对应位置处的止挡凸点发生碰撞接触。质量块上的弹性接触结构在碰撞接触后沿垂直方向发生变形,进而缓冲吸收冲击能量,避免止挡结构因与质量块碰撞而在其接触点或接触面上产生应力集中现象,减小产生破碎或断裂的可能性。

基本信息
专利标题 :
一种MEMS器件抗冲击止挡结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921961344.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-14
授权号 :
CN210690623U
授权日 :
2020-06-05
发明人 :
凤瑞周铭商兴莲蒋鹏黄艳辉鞠莉娜
申请人 :
中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
申请人地址 :
江苏省苏州市高新区龙山路89号
代理机构 :
南京纵横知识产权代理有限公司
代理人 :
耿英
优先权 :
CN201921961344.3
主分类号 :
G01P15/125
IPC分类号 :
G01P15/125  G01P15/14  B81B3/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01P
线速度或角速度、加速度、减速度或冲击的测量;运动的存在或不存在的指示;运动的方向的指示、传播时间或传播方向来测量固体物体的方向或速度入G01S;核辐射速度的测量入G01T)
G01P15/00
测量加速度;测量减速度;测量冲击即加速度的突变
G01P15/02
利用惯性力
G01P15/08
用变换成电或磁量
G01P15/125
应用电容变送器
法律状态
2020-06-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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