超声类型的MEMS声换能器和MEMS声换能器
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摘要

本公开涉及超声类型的MEMS声换能器和MEMS声换能器。一种超声MEMS声换能器形成在半导体材料的本体中,该本体具有彼此相对的第一表面和第二表面。第一腔在本体中延伸,并在底部界定敏感部分,该敏感部分在第一腔与本体的第一表面之间延伸。敏感部分容纳第二腔并形成膜,该膜在第二腔和本体的第一表面之间延伸。弹性支撑结构在敏感部分和本体之间延伸,并悬置在第一腔上方。

基本信息
专利标题 :
超声类型的MEMS声换能器和MEMS声换能器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922012732.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-20
授权号 :
CN211063784U
授权日 :
2020-07-21
发明人 :
G·加特瑞C·瓦尔扎希纳F·韦尔切西G·阿勒加托
申请人 :
意法半导体股份有限公司
申请人地址 :
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 :
北京市金杜律师事务所
代理人 :
李春辉
优先权 :
CN201922012732.3
主分类号 :
H04R19/04
IPC分类号 :
H04R19/04  
法律状态
2020-07-21 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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