基础电路板
授权
摘要
本实用新型涉及基础电路板,包括:封装基板的芯片焊盘处设置上下导通的导通孔,芯片焊盘的上部焊接硅芯片,封装基板的芯片焊盘部位的底部设置有导热铜垫;在陶瓷基板上制作铜垫卡槽和卡接铜柱,封装基板的厚度方向上设置有3个以上的卡接孔,卡接铜柱的直径为卡接孔的孔径的95%~99%,卡接铜柱与卡接孔装配,散热铜垫位于铜垫卡槽内,散热铜垫的周侧及底部与铜垫卡槽之间设置有3~20μm的间隙;通过镀铜工艺,填充散热铜垫的周侧及底部与铜垫卡槽之间的间隙,同时填充卡接铜柱与卡接孔之间的间隙,实现封装基板与陶瓷基板的装配,封装基板充当中介,利用电镀铜工艺实现芯片与陶瓷基板的散热铜垫卡槽一体化连接,能够大大提高散热效率。
基本信息
专利标题 :
基础电路板
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922017416.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-21
授权号 :
CN211150511U
授权日 :
2020-07-31
发明人 :
邹时月
申请人 :
深圳市中络电子有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市坪山新区坑梓秀新新村工业区
代理机构 :
深圳倚智知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
霍如肖
优先权 :
CN201922017416.5
主分类号 :
H01L21/48
IPC分类号 :
H01L21/48 H01L23/31 H01L23/498
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法,在器件组装之前制造或处理部件,例如容器
法律状态
2020-07-31 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载