一种高集成度隔离电源结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种高集成度隔离电源结构，所述隔离电源结构包括：电路板，电路板正面设有第一凹槽，电路板背面设有第二凹槽，第二凹槽的深度大于第一凹槽的深度，第一凹槽内安装隔离电源的控制芯片及外围电路，第二凹槽内安装隔离变压器以及隔离输出整流滤波电路，第二凹槽四周设有支柱，电路板通过过孔与控制芯片及外围电路连接，控制芯片、外围电路和隔离输出整流滤波电路灌封在环氧树脂层中。本实用新型中的隔离电源结构提高了隔离电源中电路板的空间利用率，减小了隔离电源的整体体积。
基本信息
专利标题 ：
一种高集成度隔离电源结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922024832.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-21
授权号 ：
CN210469108U
授权日 ：
2020-05-05
发明人 ：
蒋德华
申请人 ：
四川富肯斯科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区天河路1号1栋1单元2层1室5号
代理机构 ：
成都行之专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
熊曦
优先权 ：
CN201922024832.8
主分类号 ：
H02M1/00
IPC分类号 ：
H02M1/00
法律状态
2020-05-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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