一种高阶模选择抑制型垂直面发射激光器
授权
摘要
本实用新型涉及光子光电子器件设计、制作领域，尤其涉及一种高阶模选择抑制型垂直面发射激光器，其特征在于，高阶模选择抑制型垂直面发射激光器包括由下至上依次设置的N电极层、衬底、下布拉格反射层和发光单元圆台，发光单元圆台随机均匀分布于下布拉格反射层上构成随机单元阵列，相邻两发光单元圆台之间设有间隙；发光单元圆台包括由下至上依次设置的有源区、氧化限制层、上布拉格反射层、接触层、透明介质层，透明介质层具有不同刻蚀图案形成了高阶模选择抑制结构，高阶模选择抑制结构刻蚀图案的刻蚀深度满足四分之一波长相位相消条件。本实用新型实现高阶模抑制，保证光输出效率不受影响，稳定性强。
基本信息
专利标题 ：
一种高阶模选择抑制型垂直面发射激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922047680.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-25
授权号 ：
CN210517326U
授权日 ：
2020-05-12
发明人 ：
王岩罗帅季海铭
申请人 ：
江苏华兴激光科技有限公司;武汉凹伟能源科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河西路北侧、华山北路西侧
代理机构 ：
武汉今天智汇专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
邓寅杰
优先权 ：
CN201922047680.3
主分类号 ：
H01S5/065
IPC分类号 ：
H01S5/065 H01S5/40 H01S5/42
法律状态
2020-05-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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