用于高阶模抑制的方法、系统和装置
公开
摘要
一种激光二极管，包括横向波导和侧向波导，横向波导正交于侧向波导，侧向波导包括位于n型波导层和p型波导层之间的有源层，其中，横向波导由n侧上的n型覆层和p侧上的p型覆层界定，侧向波导沿纵向方向在第一端处由高反射器(HR)涂覆面界定且在第二端处由部分反射器(PR)涂覆面界定，侧向波导进一步包括掩埋的高阶模抑制层(HOMSL)，其被设置在p型覆层下方且在侧向波导内或在侧向波导的一侧或两侧上或其组合，其中，HOMSL沿纵向方向从HR面延伸的长度小于HR面与PR面之间的距离。
基本信息
专利标题 ：
用于高阶模抑制的方法、系统和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114424417A
申请号 ：
CN202080065748.3
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2020-08-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·坎斯卡陈之纲N·比克尔特
申请人 ：
恩耐公司
申请人地址 ：
美国华盛顿州
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王永建
优先权 ：
CN202080065748.3
主分类号 ：
H01S5/10
IPC分类号 ：
H01S5/10
法律状态
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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