用于粒子抑制的气体注射系统
授权
摘要
提供减少污染物粒子到达对粒子敏感的环境的可能性的设计，所述污染物粒子具有大范围的尺寸、材料、移动速度和入射角。根据本公开的一方面，提供包括第一腔室(403)和第二腔室(405)的物体平台(400)。所述物体平台还包括具有第一表面(415)的第一结构(402)和第二结构(404)。所述第二结构配置成支撑所述第二腔室(405)中的物体(412)、能相对于所述第一结构移动，并且所述第二结构包括第二表面(417)，所述第二表面与所述第一结构(402)的第一表面(415)相对从而限定在所述第一结构与所述第二结构之间的间隙(414)，所述间隙在所述第一腔室(403)与所述第二腔室(405)之间延伸。所述物体平台还包括气体出口，所述气体出口用于注射气体且设置成(a)在所述间隙中或(b)在所述第一腔室中且与第一腔室处的间隙的进口相邻。
基本信息
专利标题 ：
用于粒子抑制的气体注射系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110945437A
申请号 ：
CN201880049630.4
公开（公告）日 ：
2020-03-31
申请日 ：
2018-07-18
授权号 ：
CN110945437B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
M·A·基耶达J·布林克特黄仰山K·巴尔
申请人 ：
ASML控股股份有限公司;ASML荷兰有限公司
申请人地址 ：
荷兰维德霍温
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
王静
优先权 ：
CN201880049630.4
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-08-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20180718
申请日 : 20180718
2020-03-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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