三五族半导体器件
授权
摘要
一种三五族半导体器件，包括衬底、设置于衬底上的外延层、及设置于外延层上的多个接触区。其中，外延层包括多个通道，通道由外延层延伸至部份衬底并暴露出衬底的表面，每两个通道之间具有主动区，且于主动区内至少包含两个接触区。此三五族半导体器件能以最小的成本及最短工艺制作时间快速验证三五族外延的特性。
基本信息
专利标题 ：
三五族半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922063197.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-26
授权号 ：
CN211529955U
授权日 ：
2020-09-18
发明人 ：
江羿鋐何伟志吴俊鹏
申请人 ：
吴俊鹏;陈纪宇
申请人地址 ：
中国台湾新竹市北区延平路一段261巷8弄18号
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
董科
优先权 ：
CN201922063197.4
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/20
法律状态
2020-09-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
