单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片
授权
摘要
本申请提供一种单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，所述芯片电路包括衰减模块、电源保护模块以及电平转换模块；供电电压输入所述电源保护模块的输入端，所述电源保护模块的输出端分别与所述衰减模块的输入端以及所述电平转换模块的供电输入端相连接；控制电压输入所述电平转换模块的控制输入端，所述电平转换模块的控制输出端连接所述衰减模块的控制输入端；射频信号输入所述衰减模块，经过衰减控制后输出。与传统衰减器设计相比，本申请的衰减器通过更改传统衰减单元结构，实现了正压控制衰减器，同时单片集成驱动器，减少了控制端口，实现单电压控制衰减器，使芯片可以兼容TTL/CMOS信号，提高了单片集成度。
基本信息
专利标题 ：
单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922074651.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-27
授权号 ：
CN210745097U
授权日 ：
2020-06-12
发明人 ：
杜琳
申请人 ：
西安博瑞集信电子科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区天谷七路新加坡腾飞科汇城B座东楼22层
代理机构 ：
深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹卫良
优先权 ：
CN201922074651.6
主分类号 ：
H03H11/24
IPC分类号 ：
H03H11/24
法律状态
2020-06-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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