一种具有非对称限制层的VCSEL
授权
摘要
本实用新型提供一种具有非对称限制层的VCSEL，VCSEL包括衬底，以及自下而上依次层叠于所述衬底上的N型DBR层、N型限制层、有源区、P型限制层、氧化层和P型DBR层；所述N型限制层包括多层自下而上依次设置的第一AlGaAs层，所述P型限制层包括多层自下而上依次设置的第二AlGaAs层；多层所述第一AlGaAs层的Al组分随厚度升高呈波动的阶梯分布，多层所述第二AlGaAs层的Al组分随厚度升高呈波动的阶梯分布，所述N型限制层与所述P型限制层互为非对称结构。电子和空穴被有效限制在有源区，辐射复合高；并且能够改变光场分布，降低光吸收和光散射，提高增益。
基本信息
专利标题 ：
一种具有非对称限制层的VCSEL
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922086228.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-28
授权号 ：
CN211063047U
授权日 ：
2020-07-21
发明人 ：
田宇杜石磊韩效亚李峰柱吴真龙
申请人 ：
厦门乾照半导体科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路267号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201922086228.8
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/323
法律状态
2020-07-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
