具有高介电常数限制孔的VCSEL器件
授权
摘要
本实用新型为一种具有高介电常数电流限制孔的VCSEL器件。该器件的外延结构沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR和N‑型半导体传输层；其中，N‑型半导体传输层分为两部分，下层完全覆盖氮化物外延DBR；所述的N‑型半导体传输层的上层依次为多量子阱层、P‑型电流阻挡层、P‑型半导体传输层；P‑型重掺杂半导体传输层；P‑型重掺杂半导体传输层上表面的外侧为环形的高介电常数绝缘层，其材质为非掺杂的HfO2或Ta2O5。本实用新型中的具有高介电常数电流限制孔的器件相较于隧穿结的器件的制作，会降低近40％的工艺时间，发光阈值大约会降低0.5mA,并且在80mA下的输出功率，相较于常规器件提高了14.3％。
基本信息
专利标题 ：
具有高介电常数限制孔的VCSEL器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921112061.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-16
授权号 ：
CN210628719U
授权日 ：
2020-05-26
发明人 ：
张勇辉杭升张紫辉
申请人 ：
河北工业大学
申请人地址 ：
天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院330#
代理机构 ：
天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵凤英
优先权 ：
CN201921112061.1
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/187
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法律状态
2020-05-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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