纳米级CMOS工艺下高线性度单位增益电压缓冲器
授权
摘要
本实用新型公开了一种纳米级CMOS工艺下高线性度单位增益电压缓冲器，包括运算跨导放大器和源极跟随器；输入电压为下限时，第八NMOS管N8能够充分工作在饱和区，因而能够保证足够的环路增益；输入电压迫近电源电压时，第七PMOS管P7进入线性区，第七PMOS管P7的栅极电压急剧下降，但是只要没有下降到迫使第九NMOS管N9进入线性区，第六PMOS管P6的源极电压(即本实用新型的输出电压)就能够正常跟随栅极电压(即OTA的输出电压)的变化，进而就能够保证足够的环路增益；本实用新型的优点在于，能够在较宽输入电压范围内维持较高且恒定的环路增益，保障了较低的电压缓冲误差和非线性失真。
基本信息
专利标题 ：
纳米级CMOS工艺下高线性度单位增益电压缓冲器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922116968.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-02
授权号 ：
CN210724750U
授权日 ：
2020-06-09
发明人 ：
白春风方晨赵文翔乔东海
申请人 ：
苏州大学
申请人地址 ：
江苏省苏州市相城区济学路8号
代理机构 ：
苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陆金星
优先权 ：
CN201922116968.1
主分类号 ：
H03K19/0185
IPC分类号 ：
H03K19/0185
法律状态
2020-06-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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