跟随MOS管阈值电压的上变频无源混频器的偏置电路
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摘要
本实用新型涉及一种跟随MOS管阈值电压的上变频无源混频器的偏置电路，属于无源混频器设计领域。该电路包括一个NMOS管，七个电阻，四个开关；其中第一电阻的1端、第二电阻的2端均和NMOS管的栅极连接于Vg1节点，第一电阻的2端和NMOS管的源极均接地，第二电阻的1端、第三电阻的2端均与NMOS管M1的漏极相连接，参考电流IREF从第七电阻的1端流入，第七电阻的2端依次与第六、第五、第四、第三电阻串连；四个开关的一端分别接第六电阻、第五电阻、第四电阻和第三电阻的1端，四个开关的另一端相连共同输入偏置电压VBIAS。本实用新型可解决因NMOS开关管漏电而恶化混频器线性度的问题，电路结构简单，功耗低。
基本信息
专利标题 ：
跟随MOS管阈值电压的上变频无源混频器的偏置电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922117297.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-02
授权号 ：
CN210899084U
授权日 ：
2020-06-30
发明人 ：
肖玉忠陈勇刚
申请人 ：
深圳市纽瑞芯科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区坂田街道岗头社区天安云谷产业园一期3栋ABCD座B2603
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
廖元秋
优先权 ：
CN201922117297.0
主分类号 ：
H03D7/16
IPC分类号 ：
H03D7/16
法律状态
2020-06-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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