基于无源宽带结构的太赫兹混频器
实质审查的生效
摘要

本发明涉及一种基于无源宽带结构的太赫兹混频器,包括依次连接的软基片和砷化镓基片,砷化镓基片固定于金属腔体内并与金属腔体适配;砷化镓基片上依次穿设有射频接地结构、射频探针过渡结构、本振滤波结构、本振探针双工结构和中频低通滤波结构;本振滤波结构与射频探针过渡结构之间还设有反向并联肖特基二极管对,反向并联肖特基二极管对倒置在砷化镓基片上;本发明采用的匹配电路更为简单,减少电路损耗及变频损耗,极大的提高了二极管的工作频率和稳定性。通过射频直接接地的处理方法可以实现更大的工作带宽,克服了传统射频地回路设计因采用四分之一波长线接地而带来的窄带特性的缺陷。

基本信息
专利标题 :
基于无源宽带结构的太赫兹混频器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114335947A
申请号 :
CN202111574846.2
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-21
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王璞杨周明牟聪
申请人 :
成都天成电科科技有限公司
申请人地址 :
四川省成都市高新区肖家河环三巷2号
代理机构 :
成都科海专利事务有限责任公司
代理人 :
刘业芳
优先权 :
CN202111574846.2
主分类号 :
H01P1/213
IPC分类号 :
H01P1/213  H03D7/16  
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01P 1/213
申请日 : 20211221
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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