基于镂空结构的宽带可调太赫兹超材料吸收器
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种基于镂空结构的宽带太赫兹超材料吸收器。该吸收器自下而上依次由金属层，中间介质层和顶层镂空“王”字型石墨烯图案组成，所述上层“王”字型石墨烯图案在x,y方向呈周期排列，底层金属薄膜、中间介质层和顶层镂空王字形石墨烯之间相互贴合。本发明合理设计镂空“王”字型石墨烯结构的几何尺寸、晶格周期以及中间介质层的厚度可以对垂直入射到超材料表面的电磁波实现宽频带完全吸收的特性，并且本发明在不改变器件结构的情况下，通过调节外加电压可有效调谐吸收率的幅值。另外，本发明尺寸小，体积小，制造简单，可用常规的方法进行制作等优点。
基本信息
专利标题 ：
基于镂空结构的宽带可调太赫兹超材料吸收器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114498069A
申请号 ：
CN202210252844.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
付麦霞王金义杨鹏须叶玉超夏娜
申请人 ：
河南工业大学
申请人地址 ：
河南省郑州市高新技术产业开发区莲花街100号河南工业大学科技处
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210252844.X
主分类号 ：
H01Q17/00
IPC分类号 ：
H01Q17/00 G02B5/00
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01Q 17/00
申请日 : 20220315
申请日 : 20220315
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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