基于本征硅超材料的光可调宽带太赫兹吸收器及调控方法
实质审查的生效
摘要
本发明提出了基于本征硅超材料的光可调宽带太赫兹吸收器及调控方法，用以解决掺杂硅吸收器的制备复杂、光调谐效率低和反射作用较强的技术问题，包括减反射层和衬底层，所述减反射层为谐振单元阵列，谐振单元阵列由周期型排列的十字柱状谐振单元构成，十字柱状谐振单元由水平柱和垂直柱的中点垂直相交构成；所述减反射层和衬底层均为本征硅。本发明通过全新的太赫兹吸收方案及超材料减反射结构设计，获得了基于本征硅超材料的光可调宽带太赫兹吸收器，在1064nm连续激光照射下，实现了0到99%的超大范围峰值吸收率调节及大于1.3THz的宽带吸收；此器件制备只需要单次硅刻蚀工艺，具有结构简单、制作成本低、稳定性好等优点。
基本信息
专利标题 ：
基于本征硅超材料的光可调宽带太赫兹吸收器及调控方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114465014A
申请号 ：
CN202210231884.6
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姚建铨李杰李继涛郑程龙岳震张雅婷
申请人 ：
天津大学
申请人地址 ：
天津市南开区卫津路92号
代理机构 ：
郑州优盾知识产权代理有限公司
代理人 ：
张彬
优先权 ：
CN202210231884.6
主分类号 ：
H01Q15/00
IPC分类号 ：
H01Q15/00 H01Q17/00 G02B5/00
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01Q 15/00
申请日 : 20220310
申请日 : 20220310
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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