一种光控可调谐太赫兹吸收器
授权
摘要
本实用新型公开了一种光控可调谐太赫兹吸收器，包括底层金属反射板及其上方的介质基板，所述介质基板上贴覆有周期性结构单元，所述周期性结构单元由光控半导体硅贴片及金属贴片构成，包括位于介质基板中央的对称嵌套开口谐振环结构和分割圆环及沿介质基板四周均匀对称分布的双Y形条状结构。该吸收器在TE波和TM波下均有很好的吸收效果，不同的电导率代表不同水平的光激发，所以当调节表面光控半导体硅的电导率可以对其吸收效果进行有效的调节，进而使其在太赫兹波段达到超宽带吸收。
基本信息
专利标题 ：
一种光控可调谐太赫兹吸收器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920904101.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-14
授权号 ：
CN209880825U
授权日 ：
2019-12-31
发明人 ：
章海锋杨靖张浩
申请人 ：
南京邮电大学
申请人地址 ：
江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号
代理机构 ：
南京苏科专利代理有限责任公司
代理人 ：
牛莉莉
优先权 ：
CN201920904101.X
主分类号 ：
H01Q17/00
IPC分类号 ：
H01Q17/00 G02B5/00
法律状态
2019-12-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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