太赫兹超材料吸收器、制备方法及基于太赫兹超材料吸收器的痕量苯甲酸含量检测方法

太赫兹超材料吸收器、制备方法及基于太赫兹超材料吸收器的痕...

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摘要

本发明公开了一种太赫兹超材料吸收器、制备方法及基于太赫兹超材料吸收器的痕量苯甲酸含量检测方法，所述太赫兹超材料吸收器具有以下参数：周期P为32um，采用硅衬底，硅衬底的折射率为3.335，涂层金属为金；所述太赫兹超材料吸收器包括呈十字形的主体部以及设于所述主体部外侧的外框部，所述主体部与所述外框部垂直，所述主体部的长度L1为21um，所述外框部的长度L2为10um，所述外框部的宽度W为3um。本发明开发出一种新的基于超材料，并使用该超材料实现痕量苯甲酸含量的检测，为痕量苯甲酸含量检测提供了新的途径。

基本信息

专利标题：

太赫兹超材料吸收器、制备方法及基于太赫兹超材料吸收器的痕量苯甲酸含量检测方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113049525A

申请号：

CN202110265389.2

公开（公告）日：

2021-06-29

申请日：

2021-03-11

授权号：

CN113049525B

授权日：

2022-05-17

发明人：

胡军马云贵陈瑞徐振占朝辉

申请人：

华东交通大学

申请人地址：

江西省南昌市青山湖区双港东大街808号华东交通大学南区

代理机构：

南昌金轩知识产权代理有限公司

代理人：

石红丽

优先权：

CN202110265389.2

主分类号：

G01N21/3586

IPC分类号：

G01N21/3586 G01N1/44