浪涌吸收器及其制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明为使用微小的导电硅片的小型、廉价的浪涌吸收器。在本发明中，先在导电硅薄板的表面刻出纵横交错的缝隙沟，形成许多突出的正方形，在其表面形成酸化膜。对各个缝隙沟的中央部分进行切割从而切割出许多导电硅片。带有阶梯部分的上述正方形突起的高度即成为微缝隙。把该导电硅片以及与之相连的相对电极装入玻璃管内，并在减压供给惰性气体后用玻璃密封住。由于正方形突起的高度成了微缝隙，发生一次放电，因此，无放电迟缓现象。
基本信息
专利标题 ：
浪涌吸收器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1095197A
申请号 ：
CN93105683.7
公开（公告）日 ：
1994-11-16
申请日 ：
1993-05-07
授权号 ：
CN1044653C
授权日 ：
1999-08-11
发明人 ：
户仓次朗
申请人 ：
专利促进中心有限公司
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
范本国
优先权 ：
CN93105683.7
主分类号 ：
H01T1/15
IPC分类号 ：
H01T1/15 H01T4/00 H01J17/00
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法律状态
2003-07-02 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1999-08-11 ：
授权
1996-06-05 ：
实质审查请求的生效
1994-11-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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