光吸收器件及其制造方法以及光电极
授权
摘要
本发明的光吸收器件具有：光反射层；电介质层，配置于上述光反射层上；以及多个金属纳米结构体，配置于上述电介质层上。上述多个金属纳米结构体分别为其一部分被埋入到上述电介质层内，另一部分露出到外部。
基本信息
专利标题 ：
光吸收器件及其制造方法以及光电极
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111512193A
申请号 ：
CN201880083406.7
公开（公告）日 ：
2020-08-07
申请日 ：
2018-12-25
授权号 ：
CN111512193B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
三泽弘明石旭上野贡生押切友也孙泉笹木敬司
申请人 ：
国立大学法人北海道大学
申请人地址 ：
日本北海道札幌市
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨贝贝
优先权 ：
CN201880083406.7
主分类号 ：
G02B5/22
IPC分类号 ：
G02B5/22 B82Y20/00 B82Y30/00 B82Y40/00 C25B11/04 G02B5/28
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B5/00
除透镜外的光学元件
G02B5/20
滤光片
G02B5/22
吸收滤光片
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2020-09-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 5/22
申请日 : 20181225
申请日 : 20181225
2020-08-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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