本发明的主题是一种用于测定硅中痕量金属的方法，所述方法包括以下步骤：a)在区域熔融装置中准备一个棒状硅样品和一个棒状晶种；b)区域熔融形成的单晶硅具有圆锥末端区域，在分离步骤中在单晶硅的末端形成一滴状熔体；c)冷却所述滴状熔体形成固化的硅滴；d)在酸溶液中部分或完全溶解所述硅滴；e)通过痕量分析分析技术分析所述步骤d)中获得的溶液。在此，所述分离步骤包括下列子步骤：‑重熔所述硅样品减少其直径，其中在第一时间间隔内所述硅样品和晶种的运动方向相对于先前的运动方向是相反以形成圆锥形末端区域；‑形成滴状熔融区域，其中对于第二时间间隔晶种的运动停止并且硅样品的运动方向再次反转；‑通过移动晶种和硅样品使其彼此隔开，分开晶种和硅样品。