一种高硅基体溶剂中超痕量金属杂质的测定方法及测定用试剂盒
实质审查的生效
摘要
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种高硅基体溶剂中超痕量金属杂质的测定方法，该方法对高硅基体溶剂进行加热，使高硅基体溶剂蒸发完全，加热温度低于所述金属杂质沸点并与所述高硅基体溶剂沸点相同或更高。本发明的方法能准确测定高硅基体溶剂中的金属杂质，且未使用氢氟酸，操作简便，避免了氢氟酸带来的安全问题、降低了检测成本。
基本信息
专利标题 ：
一种高硅基体溶剂中超痕量金属杂质的测定方法及测定用试剂盒
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114324213A
申请号 ：
CN202111660760.1
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈伟琴应长春顾大公陈情丽陈玲李珊珊许从应毛智彪
申请人 ：
宁波南大光电材料有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市北仑区柴桥街道青山路21号
代理机构 ：
深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
左光明
优先权 ：
CN202111660760.1
主分类号 ：
G01N21/31
IPC分类号 ：
G01N21/31 G01N27/626 G01N1/44
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/17
入射光根据所测试的材料性质而改变的系统
G01N21/25
颜色；光谱性质，即比较材料对两个或多个不同波长或波段的光的影响
G01N21/31
测试材料在特定元素或分子的特征波长下的相对效应，例如原子吸收光谱术
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 21/31
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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