检测高纯三氯氢硅中痕量杂质的系统和方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了检测高纯三氯氢硅中痕量杂质的系统和方法。该系统包括:PFA瓶,PFA瓶包括软塞,软塞适于密封PFA瓶,PFA瓶内适于容纳氢氟酸和硝酸的混合液;取样装置,取样装置包括取样管,取样管的一端与第一PFA针头相连,另一端与三氯氢硅管线相连,取样管上设有阀门和流量控制计,阀门适于控制取样装置与三氯氢硅管线的连通和关闭,流量控制计与抽气泵相连且适于控制单次抽取的三氯氢硅样品的体积,第一PFA针头适于刺穿软塞并伸入PFA瓶的液面下使抽取的三氯氢硅样品与混合液反应;移液器,移液器包括第二PFA针头,移液器适于通过第二PFA针头刺穿软塞并伸入PFA瓶中移取反应液至测试装置。该系统检测精度高,检测结果准确性和可靠性好,同时不易带来外界干扰。

基本信息
专利标题 :
检测高纯三氯氢硅中痕量杂质的系统和方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114264717A
申请号 :
CN202210202718.3
公开(公告)日 :
2022-04-01
申请日 :
2022-03-03
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张天雨蒋文武闫家强吴鹏
申请人 :
江苏鑫华半导体材料科技有限公司
申请人地址 :
江苏省徐州市经济技术开发区杨山路66号
代理机构 :
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
赵静
优先权 :
CN202210202718.3
主分类号 :
G01N27/626
IPC分类号 :
G01N27/626  G01N1/14  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/626
应用加热电离气体
法律状态
2022-04-19 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 27/626
申请日 : 20220303
2022-04-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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