一种用于高纯GaN单晶中痕量杂质元素分布的检测方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及材料检测技术领域，且公开了一种用于高纯GaN单晶中痕量杂质元素分布的检测方法，包括以下步骤：步骤1、将待测的GaN单晶样品放置于样品室中的载物台上；步骤2、将样品室先抽真空，再通入载气，使样品室气压上升至大气压；随之抽真空，再次通载气至大气压，反复若干次；步骤3、将样品室通入载气并保持稳定气流持续吹扫样品室，引入ICP炬焰，检测各待测元素质荷比计数，直至待测元素质谱信号稳定后作为空白值。本发明无需强酸、强碱及消解设备，绿色环保，样品无需特别加工、检测方便快速、测定下限低，干扰少，灵敏准确；可直接用于高纯GaN的杂质元素含量测定和杂质元素分布平面(三维)测定；完全规避了样品化学消解带来的局限性。
基本信息
专利标题 ：
一种用于高纯GaN单晶中痕量杂质元素分布的检测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114544745A
申请号 ：
CN202111573808.5
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴曦谈逊谈谦刘宁波刘才王占玲
申请人 ：
华厦半导体（深圳）有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区坪地街道坪西社区龙岗大道(坪地段)1001号通产丽星科技产业园厂房七402
代理机构 ：
合肥市都耒知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何鑫鑫
优先权 ：
CN202111573808.5
主分类号 ：
G01N27/626
IPC分类号 ：
G01N27/626
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/626
应用加热电离气体
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 27/626
申请日 : 20211221
申请日 : 20211221
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
