三氯氢硅净化系统

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摘要

本实用新型公开了三氯氢硅净化系统。该三氯氢硅净化系统包括：添加剂预处理装置，所述添加剂预处理装置具有金属单质入口、有机溶剂入口和添加剂出口；三氯氢硅预处理装置，所述三氯氢硅预处理装置具有三氯氢硅粗品入口、添加剂入口和混合物料出口，所述添加剂入口与所述添加剂出口相连；精馏装置，所述精馏装置具有物料入口和精制三氯氢硅出口，所述物料入口与所述混合物料出口相连。该三氯氢硅净化系统通过采用添加剂预处理装置、三氯氢硅预处理装置和精馏装置，可以有效除去三氯氢硅中含碳杂质，获得高纯度的三氯氢硅产品。

基本信息

专利标题：

三氯氢硅净化系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020671519.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-04-27

授权号：

CN212425459U

授权日：

2021-01-29

发明人：

吴锋张天雨韩秀娟

申请人：

江苏鑫华半导体材料科技有限公司

申请人地址：

江苏省徐州市经济技术开发区杨山路66号

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

肖阳

优先权：

CN202020671519.3

主分类号：

C01B33/107

IPC分类号：

C01B33/107 B01D3/02 B01D3/14 B01D3/42