三氯氢硅(SiHCl3)的制备
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
SiHCl3(三氯氢硅)是制备高纯多晶硅的主要原料。以往SiHCl3的合成是采用HCl气体通入到加热的硅粉中来制备，用固定床反应时SiHCl3的产率只有60-70％。用沸腾床反应时可使SiHCl3的产率提高到80-90％，其余主要为SiCl4副产物。由于用SiCl4氢还原制备高纯多晶硅时耗能较多，一般硅材料厂将SiCl4作为废物排出，这除了使硅粉和HCl气体的利用率低外，还严重地污染环境。本发明就是利用反应时排出的废物SiCl4作为原料，再与HCl一起通入到加热的硅粉中，通过调节SiCl4通入量的大小，来控制SiHCl3的收率，直至达到100％。本发明提出的方法简单易行，凡生产硅材料的工厂或其它有SiCl4副产物排出的工厂均可利用。
基本信息
专利标题 ：
三氯氢硅(SiHCl3)的制备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87100535A
申请号 ：
CN87100535.2
公开（公告）日 ：
1987-11-25
申请日 ：
1987-01-24
授权号 ：
CN1011878B
授权日 ：
1991-03-06
发明人 ：
张崇玖
申请人 ：
张崇玖
申请人地址 ：
江苏省南通市易家桥新村20号楼305号
代理机构 ：
江苏省南通市专利服务部
代理人 ：
左一平
优先权 ：
CN87100535.2
主分类号 ：
C01B33/107
IPC分类号 ：
C01B33/107
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/08
含卤素的化合物
C01B33/107
卤化硅烷
法律状态
1997-03-12 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-10-16 ：
授权
1991-03-06 ：
审定
1989-09-20 ：
实质审查请求
1987-11-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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