一种超高纯多晶硅及硅衍生物生产工艺及生产系统
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摘要

本发明提出一种超高纯多晶硅及硅衍生物生产工艺及生产系统,通过开发吸附络合‑高效精馏三氯氢硅纯化技术制备电子级三氯氢硅,以电子级三氯氢硅为原料进一步制备电子级二氯二氢硅,开发光催化反应‑高效精馏纯化技术制备光纤四氯化硅,并以光纤四氯化硅为原料进一步制备电子级正硅酸乙酯。本发明以高纯区熔级多晶硅制造为中心,将物料流进行内循环和再利用,实现副产物的减量化和资源化,形成协同产品链,发挥协同效应,对公辅系统进行集成,相关产品制造装置实现共享,减少装置数量和系统投资。

基本信息
专利标题 :
一种超高纯多晶硅及硅衍生物生产工艺及生产系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114180578A
申请号 :
CN202210141190.3
公开(公告)日 :
2022-03-15
申请日 :
2022-02-16
授权号 :
CN114180578B
授权日 :
2022-05-17
发明人 :
万烨刘见华严大洲赵宇陈辉郭树虎赵雄常欣张园园
申请人 :
中国恩菲工程技术有限公司;洛阳中硅高科技有限公司
申请人地址 :
北京市海淀区复兴路12号
代理机构 :
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
杜月
优先权 :
CN202210141190.3
主分类号 :
C01B33/035
IPC分类号 :
C01B33/035  C07F7/04  C01B33/107  C01B3/56  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/035
在存在硅、碳或耐熔金属的热丝情况下,或在存在热硅棒情况下,用气态或汽化的硅化合物的分解或还原
法律状态
2022-05-17 :
授权
2022-04-01 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 33/035
申请日 : 20220216
2022-03-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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