一种细硅粉用三氯氢硅合成炉

授权

摘要

本实用新型公开了一种细硅粉用三氯氢硅合成炉，属于多晶硅生产技术领域，包括下封头、反应段和上封头，下封头下端设置有硅粉排放口，下封头一侧设置有进气管，下封头与反应段下端连接处设置有喷嘴组件，反应段包括从下到上依次设置的第一反应段、第二反应段和第三反应段，第一反应段、第二反应段和第三反应段外部均设置冷却夹套，第一反应段上设置有细硅粉进料管，第三反应段上部与上封头固定连接，上封头上设有出气管和安全接口。冷氢化产生的废硅粉，将废硅粉重新利用大大提高了废硅粉的价值。

基本信息

专利标题：

一种细硅粉用三氯氢硅合成炉

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021524354.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-29

授权号：

CN213037420U

授权日：

2021-04-23

发明人：

官健程茂林

申请人：

四川永祥多晶硅有限公司

申请人地址：

四川省乐山市五通桥区竹根镇永祥路100号

代理机构：

成都天嘉专利事务所(普通合伙)

代理人：

赵丽

优先权：

CN202021524354.3

主分类号：

C01B33/107

IPC分类号：

C01B33/107