GaAs/ErAs单晶/GaAs宽带可饱和吸收器件
公开
摘要
本发明公开了一种GaAs/ErAs单晶/GaAs宽带可饱和吸收器件，包括GaAs/ErAs单晶/GaAs可饱和吸收层和承载所述可饱和吸收层所需的光学元件。所述的GaAs/ErAs单晶/GaAs宽带可饱和吸收器件具有反射型和透射型两种结构；其中反射型可饱和吸收器件由上至下的材料分布为：功能层、可饱和吸收层、光学衬底和反射层；透射型可饱和吸收器件由上至下的材料分布为：功能层、可饱和吸收层和光学衬底。GaAs/ErAs单晶/GaAs宽带可饱和吸收器件无需低温生长，依赖单晶薄膜材料异质结构便可获得超快的弛豫时间，由于可饱和吸收层的缺陷密度低，器件的可靠性和一致性好，在脉冲激光器等领域应用前景广阔。
基本信息
专利标题 ：
GaAs/ErAs单晶/GaAs宽带可饱和吸收器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628983A
申请号 ：
CN202011471890.6
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孟亚飞李艺文李剑飞张克冬李晨芦红王枫秋
申请人 ：
南京大学
申请人地址 ：
江苏省南京市鼓楼区汉口路22号
代理机构 ：
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈建和
优先权 ：
CN202011471890.6
主分类号 ：
H01S3/11
IPC分类号 ：
H01S3/11
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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