一种基于数个原子层厚的锗材料的实用化可饱和吸收器件及其制...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于数个原子层厚的锗材料的实用化可饱和吸收器件及其制备方法，所述器件可饱和吸收器件采用数个原子层厚的锗材料作为可饱和吸收层，进行调Q和锁模，所述数个原子层厚的锗材料包括金刚石结构的半导体锗缓冲层以及在此之上生长的六元环形型结构的锗烯。解决原子层厚可饱和吸收体的光调制深度小和非饱和损耗大的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种基于数个原子层厚的锗材料的实用化可饱和吸收器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361928A
申请号 ：
CN202111669086.3
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
鲍小志鲍桥梁
申请人 ：
南京科耐激光技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市浦口区江北新区泰西路3号办公-4F-431室
代理机构 ：
北京哌智科创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张元媛
优先权 ：
CN202111669086.3
主分类号 ：
H01S3/098
IPC分类号 ：
H01S3/098 C30B23/02 C30B29/08 C30B33/02
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 3/098
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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