一种半导体可饱和吸收镜及其制备方法
公开
摘要
本发明提供一种半导体可饱和吸收镜及其制备方法，包括：衬底，依次叠设于衬底上的缓冲层、分布式布拉格反射镜层、下隔离层、应变补偿多量子阱层、上隔离层、下介质膜层、上介质膜层。其中应变补偿多量子阱层为张应变量子垒层和压应变量子阱层交叉叠设而成，应变补偿多量子阱层外表面均布置为张应变量子垒层。下隔离层、应变补偿多量子阱层、上隔离层的总光学厚度为λ、1.5λ、2λ的一种，其中，λ为掺Yb超快光纤激光器的激射波长。本发明半导体可饱和吸收镜具有较高的调制深度，应用于掺Yb光纤超快激光器可实现自动锁模，重复周期稳定。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体可饱和吸收镜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300923A
申请号 ：
CN202111680297.7
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林楠熊聪马骁宇刘素平
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李世阳
优先权 ：
CN202111680297.7
主分类号 ：
H01S3/098
IPC分类号 ：
H01S3/098
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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