基于二氧化钒的可调谐阵列集成宽带太赫兹吸波谐振器
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摘要
本发明涉及一种基于二氧化钒的可调谐阵列集成宽带太赫兹吸波谐振器,自下而上为底部的金属反射层、中间介质层、二氧化钒相变层、石墨烯可调电导率层以及顶层导电电极和成周期阵列排布的金属谐振腔。金属谐振腔通过设计特定的几何参数和结构,使得整个超材料吸波结构在特定频率的地方发生电磁谐振,利用二氧化钒的热致相变性质,在半导体相态和金属相态时光学、电学参数有巨大的变化,设计了较高调制深度的吸波结构,并基于石墨烯的可调电导率性质,通过外加电压改变其费米能级,改变吸波结构的介电参数,使得吸收的波长范围发生改变。结合这两种材料的调谐特性,从而实现通过热/电主动调谐宽带吸收器,而且设计的结构与工艺兼容,易于实现。
基本信息
专利标题 :
基于二氧化钒的可调谐阵列集成宽带太赫兹吸波谐振器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113241531A
申请号 :
CN202110465365.1
公开(公告)日 :
2021-08-10
申请日 :
2021-04-28
授权号 :
CN113241531B
授权日 :
2022-04-12
发明人 :
宋金会李子兴王志立张西京孟德峰柳永博
申请人 :
大连理工大学
申请人地址 :
辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
代理机构 :
大连理工大学专利中心
代理人 :
隋秀文
优先权 :
CN202110465365.1
主分类号 :
H01Q17/00
IPC分类号 :
H01Q17/00 H05K9/00
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法律状态
2022-04-12 :
授权
2021-08-27 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01Q 17/00
申请日 : 20210428
申请日 : 20210428
2021-08-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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