一种基于掺杂硅的光调制太赫兹宽带吸波器

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种基于掺杂硅的光调制太赫兹宽带吸波器，包括三层结构，由下至上依次为：硅衬底层、超材料层和光泵浦源，所述硅衬底层和超材料层均为掺硼的p型硅材料，所述超材料层由单元结构阵列组成，单元结构阵列在xoy平面内周期性的排列在所述硅衬底层，太赫兹波入射到所述吸波器上，被耦合进吸波器并激发电磁共振，实现对太赫兹波的宽带吸收，所述光泵浦源产生泵浦光束，正入射到所述硅衬底层和超材料层上，改变掺杂硅的载流子浓度，实现吸波器对太赫兹波的吸收频带、吸收率的调制功能；本实用新型结构简单，易于加工，对太赫兹波吸收率较高，吸收带宽较宽，具有光调制功能，可广泛应用于成像、隐身、通信、太赫兹检测等多个领域。

基本信息

专利标题：

一种基于掺杂硅的光调制太赫兹宽带吸波器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920837489.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-06-05

授权号：

CN209626432U

授权日：

2019-11-12

发明人：

沈婷婷郎婷婷胡杰

申请人：

中国计量大学

申请人地址：

浙江省杭州市江干区下沙高教园区学源街258号中国计量大学

代理机构：

代理人：

优先权：

CN201920837489.6

主分类号：

H01Q17/00

IPC分类号：

H01Q17/00 H01Q15/00 G02B5/00