一种基于全硅材料的菱形太赫兹宽带吸波器

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种基于全硅材料的菱形太赫兹宽带吸波器；所述吸波器的材料为掺硼的p型硅，载流子浓度大于等于0.03×10¹⁸cm^‑3；所述吸波器由超材料层、基底层两部分组成，超材料层由单元结构为菱形的周期性阵列组成，位于基底层的上方；当太赫兹波正入射到所述吸波器，该太赫兹波将被耦合进吸波器并激发电磁共振，实现宽带吸收；所述吸波器结构简单，易于制作，具有吸收效率高并且吸收宽带宽等优点，可满足隐身，成像等应用。

基本信息

专利标题：

一种基于全硅材料的菱形太赫兹宽带吸波器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921958781.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-13

授权号：

CN210779001U

授权日：

2020-06-16

发明人：

于菁郎婷婷鲁聪聪

申请人：

中国计量大学

申请人地址：

浙江省杭州市学源街258号中国计量大学

代理机构：

代理人：

优先权：

CN201921958781.X

主分类号：

H01Q17/00

IPC分类号：

H01Q17/00 G02B5/00