一种W波段的高性能GaAs MMIC无源下混频器
授权
摘要
本实用新型公开了一种W波段的高性能GaAs MMIC无源下混频器，包括3db正交耦合器、平衡混频器Ⅰ、同相功分器、平衡混频器Ⅱ、低通滤波器Ⅰ、低通滤波器Ⅱ、合路器，所述3db正交耦合器的左上端接射频输入端RF，左下端接地，右上端、右下端分别接平衡混频器Ⅰ和平衡混频器Ⅱ的输入端，同相功分器的输出端接平衡混频器Ⅰ和平衡混频器Ⅱ的输入端，平衡混频器Ⅰ和平衡混频器Ⅱ的输出端分别连接低通滤波器Ⅰ、低通滤波器Ⅱ的输入端，低通滤波器Ⅰ、低通滤波器Ⅱ的输出端接合路器的输入端，所述平衡混频器Ⅱ与低通滤波器Ⅱ之间设有90°移相电路。本实用新型采用特殊电路匹配结构，在满足阻抗匹配的同时，具有较低的变频损耗以及高混频输入输出频差。
基本信息
专利标题 ：
一种W波段的高性能GaAs MMIC无源下混频器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920773027.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-27
授权号 ：
CN210123968U
授权日 ：
2020-03-03
发明人 ：
陈奉云罗力伟王祁钰
申请人 ：
四川益丰电子科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市青羊区敬业路218号7栋2楼1号
代理机构 ：
北京中索知识产权代理有限公司
代理人 ：
房立普
优先权 ：
CN201920773027.2
主分类号 ：
H03D7/16
IPC分类号 ：
H03D7/16
法律状态
2020-03-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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