常温半导体脉泽器及基于常温半导体脉泽器的无源混频器
授权
摘要
一种常温半导体脉泽及其应用，属于量子力学、半导体物理、电子学技术领域。该常温半导体脉泽通过泵浦微波将含异质结的晶体管中的极化激元激发到高能级，谐振网络在其谐振频率处提供指定的能量通路，使得被激发到高能级的极化激元向下跃迁到能级区域内的指定能级，对外辐射电磁波。本实用新型有效解决了现有脉泽器件对工作环境要求严苛、体积庞大、工艺复杂等难题，通过采用通用半导体工艺条件制作的含异质结的晶体管实现常温脉泽，结构简单，能在常温环境工作，且无需激光作为泵浦即能工作。
基本信息
专利标题 ：
常温半导体脉泽器及基于常温半导体脉泽器的无源混频器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921043621.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-05
授权号 ：
CN210092555U
授权日 ：
2020-02-18
发明人 ：
补世荣符阳陈柳曾成宁俊松王占平
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
电子科技大学专利中心
代理人 ：
吴姗霖
优先权 ：
CN201921043621.2
主分类号 ：
H01S1/02
IPC分类号 ：
H01S1/02
法律状态
2020-02-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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