一种太赫兹源装置
授权
摘要
本实用新型属于太赫兹源制备技术领域，具体涉及一种太赫兹源装置。该装置包括顶面和沿所述顶面的一侧形成的至少两侧面，所述侧面和所述顶面形成一容纳区；硅透镜，设置于所述容纳区内；PIN光电二极管，设置于所述顶面远离所述侧面的一侧；天线，设置于所述PIN光电二极管的两端，分别与其P接触区和N接触区相连。该装置具有高带宽、高增益、高信噪比、体积小、便携、低成本，能够在室温的条件下工作，且该装置具有空腔的支撑结构内设有半球硅透镜，结构简单、体积小、便于携带，且该半球硅透镜可以使天线产生的太赫兹波的波束更为紧凑，天线的增益变大，使太赫兹源更适合在实际生活中应用。
基本信息
专利标题 ：
一种太赫兹源装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922292312.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-18
授权号 ：
CN210957258U
授权日 ：
2020-07-07
发明人 ：
孙思维
申请人 ：
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号传感网国际创新园D1栋
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
寇海侠
优先权 ：
CN201922292312.5
主分类号 ：
H01S1/02
IPC分类号 ：
H01S1/02
法律状态
2020-07-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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