一种光功率监测单元及光功率监测装置
授权
摘要
本实用新型提供一种用于超高温老化测试的光功率监测单元及光功率监测装置，其中光功率检测单元包括加热金属块、半导体发光芯片、准直器和光电传感器；半导体发光芯片放置在加热金属块上方，在通电时能发出发散的光，准直器设置在所述发散的光的传输路径中，将发散的光变成准直或近准直光束，光电传感器接收经过一定行程之后的准直光束，检测到所监测的半导体发光芯片的光功率。准直光束的传输路径内可以设有一个或多个反射镜，改变光的传输路径。通过采用准直器，将发散的光变成准直或近准直光束，使激光在经过一定的行程之后到达光电二极管，减弱加热金属块对光电二极管的热辐射，使光电二极管支持超高温的老化监测，同时有效提高光电二极管的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种光功率监测单元及光功率监测装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922232325.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-13
授权号 ：
CN211348528U
授权日 ：
2020-08-25
发明人 ：
王辉文单娜严黎明
申请人 ：
武汉驿天诺科技有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区东信路SBI创业街1号楼902室
代理机构 ：
湖北武汉永嘉专利代理有限公司
代理人 ：
许美红
优先权 ：
CN201922232325.3
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01J1/42
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2020-08-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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