中低压大电流MOSFET脉冲电流过流检测电路
授权
摘要
本实用新型属于开关电源和电机控制的技术领域，具体涉及一种中低压大电流MOSFET脉冲电流过流检测电路，包括驱动电路；MOSFET检测电路，其与所述驱动电路的输出端连接；比较电路，其输入端与所述MOSFET检测电路连接；其中，所述比较器检测MOSFET检测电路的导通压降和基准电平。本实用新型能够检测出MOSFET通过脉冲电流时的导通压降是否超过安全值，从而确定MOSFET是否过流，保护电路是否需要启动关断MOSFET。
基本信息
专利标题 ：
中低压大电流MOSFET脉冲电流过流检测电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922262806.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-17
授权号 ：
CN211652985U
授权日 ：
2020-10-09
发明人 ：
钟任生
申请人 ：
华羿微电子股份有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭永丽
优先权 ：
CN201922262806.9
主分类号 ：
G01R19/165
IPC分类号 ：
G01R19/165
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R19/00
用于测量电流或电压或者用于指示其存在或符号的装置
G01R19/165
指示电流或电压高于或低于预定值，或者是处于预定的数值范围之内或之外
法律状态
2020-10-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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