一种高精度RF MEMS数字可变电容
授权
摘要
本实用新型涉及一种高精度RF MEMS数字可变电容,包括有衬底,衬底上分布有若干组基于翘板式结构的RF MEMS数字可变电容单元,各个RF MEMS数字可变电容单元分组后,围绕RF Pad分布,每组RF MEMS数字可变电容单元的RF电极与RF Pad接连,每组RF MEMS数字可变电容单元的最大容值均不相同,每组RF MEMS数字可变电容单元有两种电容状态,通过5位二进制数字驱动信号进行控制,RF Pad两侧均分布有GND Pad。由此,可变电容单元数量少,且可变电容容值的步阶多,调节范围广,可调性强。在5组单元,每组二个电容状态的条件下,有32个步阶。在5组单元,每组三个电容状态的条件下,有243个步阶。由数字信号控制,可与IC兼容。
基本信息
专利标题 :
一种高精度RF MEMS数字可变电容
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922266264.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-17
授权号 :
CN211208253U
授权日 :
2020-08-07
发明人 :
王竞轩刘泽文肖倩陈涛
申请人 :
苏州希美微纳系统有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区9栋402室
代理机构 :
北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘洪勋
优先权 :
CN201922266264.2
主分类号 :
H01G7/00
IPC分类号 :
H01G7/00 H01G5/38
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器;电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G7/00
用非机械方式改变电容量的电容器;其制造方法
法律状态
2020-08-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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